Lộ bo mạch chủ của iPhone 7, cấu hình ấn tượng

Thiết kế bảng mạch bên trong của iPhone 7 bị rò rỉ

Chip mới này sẽ mang tên gọi theo công nghệ FoWLP. Đặc tính của FoWLP được Samsung ví von sẽ làm tốt hoạt động tản nhiệt trên smartphone. Theo đó, những chip FoWLP có thể giúp tăng hiệu năng hoạt động lên 30%. Bên cạnh đó, hệ thống tản nhiệt nhanh gấp 10 lần so với thông thường. Hơn nữa, chip FoWLP công nghệ mới này đã loại bỏ luôn những bảng mạch in PCB thông thường. Chính vì thế, smartphone nào được trang bị công nghệ này sẽ giảm được độ dày đáng kể, khoảng 0,3mm.

iPhone 7 sẽ trang bị RAM 2/3GB, sử dụng một bộ vi xử lý chuyển động M10 bên trong. Hình ảnh rò rỉ còn cho thấy, iPhone 7 sẽ chỉ có một khe cắm thẻ SIM duy nhất, điều đó cũng có nghĩa với việc máy không hỗ trợ SIM kép hoặc khe cắm thẻ nhớ ngoài. Bộ nhớ trong phiên bản cao nhất có thể lên tới 256GB, và một thỏi pin lên đến 3.100 mAh.

Các nguồn tin trước đây cũng cho biết chip mạng Intel 7360 LTE sẽ chiếm 50% số lượng iPhone mới trong khi 50% còn lại do Qualcomm sản xuất. Như vậy là cuối cùng Intel cũng có được hợp đồng sản xuất chip mạng cho Apple.

Theo truyền thống iPhone mới sẽ được Apple trình làng trong tháng 9 tới tại một sự kiện riêng.