Các nhà khoa học công bố bước đột phá trong công nghệ pin sạc

Nhóm các nhà khoa học Singapore và Canada có bước đột phá mới trong nghiên cứu công nghệ pin sạc. (Ảnh: IBN, IREQ)

Một nhóm các nhà khoa học Singapore và Canada vừa công bố một bước đột phá trong nghiên cứu công nghệ pin sạc, qua đó có thể giúp tăng gấp đôi lượng điện năng dự trữ của pin lithium-ion, vốn thường được sử dụng trong sản xuất điện thoại thông minh, thiết bị y tế và các phương tiện điện tử khác.

Trong thông cáo báo chí chung ra ngày 25/2, các nhà nghiên cứu Viện Kỹ thuật Sinh học và Công nghệ Nano (IBN) thuộc trung tâm nghiên cứu A*STAR của Singapore và Viện Nghiên cứu Quebec (IREQ) của Canada cho biết họ đã tổng hợp dược hộp nano bằng vật liệu silicate có thể dự trữ lượng điện năng nhiều gấp đôi so với các điện cực phốtphát thông thường.

Theo Giáo sư Jackie Y Ying - Giám đốc điều hành IBN, các nhà nghiên cứu đã lần đầu tiên kiểm soát thành công đồng thời cả giai đoạn thuần khiết và cấu trúc nano của vật liệu Li2MnSiO4.